聚財網 wearn.com - Dram Nand Flash 報價

Dram 現貨價資料日期：09/05

名稱	今高	今低	平均	漲跌幅
DDR2 1Gb 128Mx8 800MHz	1.58	1.45	1.54	-2.16%
DDR2 1Gb 128Mx8 667MHz	1.55	1.45	1.51	-2.45%
DDR2 1Gb 128Mx8 eTT	1.32	1.29	1.30	-1.51%
DDR2 512Mb 64Mx8 667MHz	0.80	0.71	0.73	-0.81%
DDR2 512Mb 64Mx8 eTT	0.70	0.67	0.69	-5.76%
DDR 512Mb 64Mx8 400MHz	1.18	1.05	1.09	-0.36%
DDR 512Mb 64Mx8 eTT	1.10	1.05	1.07	-0.37%
DDR 256Mb 32Mx8 400MHz	0.85	0.78	0.82	-1.20%
DDR 256Mb 32Mx8 eTT	0.73	0.68	0.71	-1.66%

Dram 合約價資料日期： Sep.5, 0

名稱	高	低	平均	高價漲幅	低價漲幅
DDR2 2GB SO-DIMM 667MHz	36.00	32.00	34.00	-10.00%	-11.11%
DDR2 1GB SO-DIMM 667MHz	18.00	16.00	17.00	-10.00%	-11.11%
DDR2 512MB SO-DIMM 667MHz	10.00	9.00	9.50	-9.09%	-10.00%
DDR2 1Gb 128Mx8 667MHz	1.88	1.63	1.75	-11.76%	-13.33%
DDR2 512Mb 64Mx8 667MHz	0.94	0.81	0.88	-11.76%	-13.33%

Flash 現貨價資料日期：09/05

名稱	今高	今低	平均	漲跌幅
32Gb 4Gx8 MLC	7.20	5.45	6.24	-0.95%
16Gb 2Gx8 SLC	13.20	12.60	12.92	0.00%
16Gb 2Gx8 MLC	2.85	2.20	2.44	+1.07%
8Gb 1Gx8 SLC	5.65	4.30	4.99	0.00%
8Gb 1Gx8 MLC	1.80	1.50	1.63	-0.12%
4Gb 512Mx8 SLC	3.55	3.25	3.40	0.00%
4Gb 512Mx8 MLC	1.30	1.23	1.26	0.00%

Flash 合約價資料日期： Aug.22, 08.

名稱	高	低	平均	高價漲幅	低價漲幅
6Gb 2Gx8 SLC	14.00	12.00	13.00	0.00%	0.00%
8Gb 1024Mx8 SLC	6.70	6.20	6.45	0.00%	0.00%
4Gb 512Mx8 SLC	3.40	3.20	3.30	0.00%	0.00%
6Gb 2Gx8 MLC	3.20	2.60	2.96	-11.11%	-13.33%
8Gb 1024Mx8 MLC	2.00	1.80	1.90	-13.04%	-10.00%
4Gb 512Mx8 MLC	1.60	1.25	1.44	0.00%	-7.41%

專業記憶體報價網站DRAMeXchange www.dramx.com

集邦科技 DRAMeXchange 簡介

集邦科技是全球電子産業市場情報的領先提供者，提供關於主要電子産品的深度分析報告，同時也提供優異的相關顧問服務。集邦科技目前有2個主要的研究部門，分別是DRAMeXchange與WitsView，研究領域涵蓋DRAM、NAND型快閃記憶體（Flash）、個人電腦（PC），以及顯示相關領域。在2000年，集邦科技開始以DRAMeXchange的品牌名稱提供市場情報的服務，包含當前市場環境、即時現貨市場交易價格、市場趨勢、資本支出情報、晶圓産能趨勢、市場上DRAM/Flash內快閃記憶體産品的衝擊變化，以及其他相關的PC産業資訊。爲了拓展集邦科技的研究範疇，在2006年購並了專注於顯示産業領域研究並聲譽卓著的LCD産業研究機構WitsView。

DXI簡介

DXI爲DRAM産值變化的指標，由DRAM産量的變化與價格所組合産生

1 DXI特點
建構 DXI 指數目的在於提供一個簡單易懂的 DRAM 産業動態圖像給使用者一目了然， DXI 指數由市場的主流的 DRAM 晶片所構成，並乘上價格，期望以最少的變數來反映出即時的市場趨勢。在合理的假設基礎以及精確的數學公式下，提供使用者強而有力的分析工具來迅速的分析市場。

2 通過DXI來洞察股價的走勢
DXI 不僅只是反應 DRAM 産業的産值，同時也與 DRAM 製造商的股價走勢高度相關。根據集邦科技統計知名 DRAM 製造商的股價如：英飛淩、南亞、茂徳、力晶等公司，在過去幾年股價與 DRAM 現貨價格高度相關，也因此 DXI 指數提供使用者在變動快速的 DRAM 産業裏洞悉股價的能力。

3 DXI的組成
DXI 是 DRAM 産值的一個指標，用來幫助 DRAM 相關業者、分析師和基金經理人追蹤 DRAM 價格和産出量的趨勢。集邦科技利用下述兩個主要準則來選擇所組成的晶片。第一，相關晶片的現貨價格必須是集邦科技可以追蹤的。第二，被選擇晶片的産出量必須達到我們規定的基準點，且挑選的晶片總和需要達到 DRAM 産業總產量的 70 ％以上。當所選擇晶片一旦未達到我們篩選晶片的標準條件時，集邦科技將更新 DXI 所選擇計算的晶片。

數據公佈時間

   (一). 國際DRAM/NAND Flash現貨價格(Spot price)：

             每日公佈三次現貨價格：
             1. AM11:00
             2. PM 02:30
             3. PM 06:00

   (二). 國際DRAM/NAND Flash合約價格(Contract price)：

1. DRAM:
一個月更新兩次，一般來說是在每月的6號及20號。

2. NAND Flash:
一個月更新兩次，目前是擇期公佈並無明確時間

DRAM合約價格(Contract price)模組(Module)之分類

1. U-DIMM for Destop 桌上型電腦專用記憶體模組

2. So-DIMM for notebook 筆記型電腦專用記憶體模組

3. R-DIMM for server 伺服器專用記憶體模組

NAND FLASH快閃記憶體SLC、MLC之區別

(一). 兩者簡介

1. SLC (Single Level Cell)單層式儲存。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用

2. MLC(Multi Level Cell)多層式儲存。主要由東芝、Renesas、三星使用。

(二). 兩者優缺點比較

1. 生産成本比較: MLC生產成本較低。容量大，具成本優勢。

2. 使用壽命長短: MLC使用壽命較短，SLC能存取10萬次，而MLC存取次數則約1 萬次。

3. 耗能比較: MLC能耗比SLC高。

4. 存取速度快慢: SLC遠大於MLC

DRAM顆粒UTT ETT 所代表之意義

標示UTT（未經測試的記憶體顆粒）的記憶體顆粒就意味著未經測試的産品，而標示ETT（有效測試過的記憶體顆粒）的顆粒則是已經測試過的産品。